RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
48
En -60% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
30
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2834
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link