RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
48
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
30
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2834
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link