RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
48
Intorno -60% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.0
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
30
Velocità di lettura, GB/s
8.9
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
14.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
2834
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link