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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Punteggio complessivo
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SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Differenze

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Segnala un bug
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    11.2 left arrow 9.3
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.1 left arrow 7.3
    Valore medio nei test
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Motivi da considerare
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Segnala un bug
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    40 left arrow 44
    Intorno -10% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 10600
    Intorno 1.6 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    44 left arrow 40
  • Velocità di lettura, GB/s
    11.2 left arrow 9.3
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.1 left arrow 7.3
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2293 left arrow 1773

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Confronto tra le RAM

EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB

SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Confronto tra le RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Memoria RAM
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
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Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Memoria RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Kingston K6VDX7-MIE 8GB
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Memoria RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
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Memoria RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
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SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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