RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
49
Intorno -32% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.4
10.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
37
Velocità di lettura, GB/s
10.1
10.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2070
2230
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link