RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
77
80
Intorno 4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
2,622.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
80
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
1775
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link