RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
77
80
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
80
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
1775
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link