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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
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Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
49
Intorno -88% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.6
10.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.2
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
26
Velocità di lettura, GB/s
10.1
18.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
16.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2070
3756
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB Confronto tra le RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Kingston 9905428-401.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
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