RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
49
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3756
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link