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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Confronto
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
47
Intorno -88% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.3
10.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.3
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
25
Velocità di lettura, GB/s
10.4
18.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
16.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2169
3849
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
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