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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
47
左右 -88% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
25
读取速度,GB/s
10.4
18.3
写入速度,GB/s
7.8
16.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3849
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
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