RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
54
Intorno -93% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.2
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
28
Velocità di lettura, GB/s
9.2
19.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
3698
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link