RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
54
Intorno -108% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.1
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
26
Velocità di lettura, GB/s
9.2
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
14.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
3596
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link