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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Razões a considerar
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
54
Por volta de -108% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
26
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
14.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
3596
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
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