RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
54
Por volta de -108% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
26
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
14.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
3596
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link