RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
54
Intorno -86% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.6
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.8
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
29
Velocità di lettura, GB/s
9.2
18.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
3480
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link