RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.2
9.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
7.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
54
Intorno -46% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
37
Velocità di lettura, GB/s
9.2
9.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
2046
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link