RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
54
Intorno -86% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.2
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
29
Velocità di lettura, GB/s
9.2
12.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
9.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
2443
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link