RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
54
Intorno -59% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
34
Velocità di lettura, GB/s
9.2
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
2786
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link