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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Motivi da considerare
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
54
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21.3
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.8
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
36
Velocità di lettura, GB/s
9.2
21.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
16.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
3610
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
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