RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
54
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.3
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
36
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
21.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3610
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link