RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
54
Intorno -135% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
23
Velocità di lettura, GB/s
9.2
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
2619
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link