RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
54
Около -135% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
23
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
15.3
Скорость записи, Гб/сек
8.1
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
2619
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link