Confronto tra le RAM Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Punteggio complessivo

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Motivi da considerare
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

31 63

Intorno -103% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

20.5 8.1

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

15.5 7.5

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

25600 12800

Intorno 2 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1945 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns