Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Punteggio complessivo
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Punteggio complessivo
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Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    31 left arrow 63
    Intorno -103% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    20.5 left arrow 8.1
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    15.5 left arrow 7.5
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    25600 left arrow 12800
    Intorno 2 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    63 left arrow 31
  • Velocità di lettura, GB/s
    8.1 left arrow 20.5
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.5 left arrow 15.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1945 left arrow 3649
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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