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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

总分
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

总分
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Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB 需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB 需要考虑的原因
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    31 left arrow 63
    左右 -103% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    20.5 left arrow 8.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    15.5 left arrow 7.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 12800
    左右 2 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    63 left arrow 31
  • 读取速度，GB/s
    8.1 left arrow 20.5
  • 写入速度，GB/s
    7.5 left arrow 15.5
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1945 left arrow 3649

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB RAM的比较

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Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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最新比较

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内存RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
内存RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
内存RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
内存RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
内存RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
内存RAM
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
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G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
内存RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
内存RAM
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
内存RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
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内存RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
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内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
内存RAM
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
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内存RAM