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Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Confronto
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB vs Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
54
66
Intorno -22% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.2
7.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
6.6
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
66
54
Velocità di lettura, GB/s
7.3
9.2
Velocità di scrittura, GB/s
6.6
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1760
2105
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB Confronto tra le RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
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