RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
49
Intorno -75% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.3
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.8
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
28
Velocità di lettura, GB/s
10.0
18.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2116
3736
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link