RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
49
Por volta de -75% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.3
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
28
Velocidade de leitura, GB/s
10.0
18.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
15.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2116
3736
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link