RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
49
Intorno -88% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.3
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
26
Velocità di lettura, GB/s
10.0
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2116
2384
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link