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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
49
En -88% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
26
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
2384
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
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