RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
49
Intorno -69% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
29
Velocità di lettura, GB/s
10.0
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2116
3199
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link