RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB против G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
49
Около -69% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
29
Скорость чтения, Гб/сек
10.0
17.2
Скорость записи, Гб/сек
8.2
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2116
3199
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link