RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB

G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 49
    周辺 -69% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.2 left arrow 10
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.4 left arrow 8.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    10.0 left arrow 17.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.2 left arrow 13.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2116 left arrow 3199

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB RAMの比較

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB RAMの比較

Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
メモリRAM
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
メモリRAM