RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
49
Intorno -40% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
35
Velocità di lettura, GB/s
10.0
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2116
3242
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
AMD R748G2400U2S 8GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link