RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
49
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
3242
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link