RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB против Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
49
Около -40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
35
Скорость чтения, Гб/сек
10.0
16.2
Скорость записи, Гб/сек
8.2
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2116
3242
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link