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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
27
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.1
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
26
Velocità di lettura, GB/s
11.8
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
2579
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
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