RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
30
Intorno 10% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.0
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
30
Velocità di lettura, GB/s
11.8
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
14.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
2834
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMT351U7BFR8C-H9 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link