RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
43
Intorno 37% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.2
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.7
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
43
Velocità di lettura, GB/s
11.8
12.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
9.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
2501
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link