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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
31
Intorno 13% latenza inferiore
Motivi da considerare
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
31
Velocità di lettura, GB/s
11.8
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
3046
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
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