RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
27
Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
24
Velocità di lettura, GB/s
11.8
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
3128
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Mushkin 991586 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link