RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
14
42
Intorno -200% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
26.4
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
19.8
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
14
Velocità di lettura, GB/s
10.6
26.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
19.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
4362
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link