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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Différences
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Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Raisons de considérer
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
14
42
Autour de -200% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
26.4
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.8
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
14
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
26.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
19.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
4362
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB Comparaison des RAM
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
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