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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Comparar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
14
42
Por volta de -200% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
26.4
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
19.8
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
14
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
26.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
19.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
4362
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
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