RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
42
Intorno -40% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.3
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
10600
Intorno 2.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
30
Velocità di lettura, GB/s
10.6
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
23400
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
2761
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link