RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
42
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
10600
Wokół strony 2.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
23400
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2761
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link