RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
42
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.1
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
28
Velocità di lettura, GB/s
10.6
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
3480
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link