RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
42
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
28
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3480
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link