RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3480
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link