RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
104
Intorno -235% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.3
2,404.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
31
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
2307
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB Confronto tra le RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link