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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
12.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
104
Intorno -247% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
30
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
3106
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
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